Laboratorium Analizy Powierzchni

   Laboratorium Analizy Powierzchni (LAP) – Aparatury Specjalistycznej zostało powołane zarządzeniem Dyrektora Instytutu Chemii Fizycznej PAN w dniu 29 czerwca 2016 r.. Laboratorium powstało na bazie Mazowieckiego Centrum Analizy Powierzchni, którego kierownikiem był prof. dr hab. Aleksander Jabłoński, a które utworzono z dwóch laboratoriów: Specjalistycznego Laboratorium Spektroskopii Elektronowych (kierownik prof. dr hab. Aleksander Jabłoński, 1995 r.) oraz Specjalistycznego Laboratorium Fizykochemii Materiałów (kierownik prof. dr hab. Maria Janik-Czachor, 2004 r.)

Działalność naukowa w obu Laboratoriach skupiona była m. in. na zagadnieniach teorii transportu elektronów w ciałach stałych do zastosowania w ilościowej analizie widm XPS i AES, zastosowaniu spektroskopii EPES do określenia średniej nieelastycznej drogi swobodnej w wybranych ciałach stałych oraz funkcjonalizacji powierzchni materiałów tlenkowych do zastosowań biomedycznych, katalitycznych i SERS. Laboratorium Analizy Powierzchni wyposażone jest w aparaturę naukową przeznaczoną do badania procesów fizykochemicznych zachodzących w obszarze kilku, kilkunastu monowarstw atomowych przy powierzchni ciał stałych.  Laboratorium specjalizuje się w określeniu jakościowego i ilościowego składu chemicznego, jak również topografii i struktury powierzchni materiałów.  Do tego celu wykorzystywane są następujące metody badawcze: spektroskopia fotoelektronów w zakresie promieniowania rentgenowskiego (XPS - ESCA), spektroskopia elektronów Augera (AES), spektroskopia piku elastycznego (EPES), mikroskopia sił atomowych (AFM), skaningowa mikroskopia tunelowa (STM) oraz dyfrakcja niskoenergetycznych, tzw. polwolnych elektronów (LEED).

Obiektem badań są powierzchnie materiałów konstrukcyjnych jak i funkcjonalnych (metale i ich stopy, materiały półprzewodnikowe, polimery, kompozyty, w tym nanomateriały, nanocząstki). Wyposażenie aparatury pozwala na wykonanie specjalistycznych analiz jak badania kątowe (ARXPS, tzw. profile nieniszczące cienkich warstw/filmów), rozkłady liniowe pierwiastków (XPS, AES), mapy składu chemicznego powierzchni (XPS, AES) oraz profilowanie wgłębne materiałów jonami Ar⁺ i C60⁺ (XPS, AES). Dysponujemy również aparaturą pozwalającą na preparatykę cienkich warstw metali w warunkach UHV, prowadzenie reakcji chemicznych in situ w warunkach wysoko-ciśnieniowych oraz funkcjonalizacji powierzchni materiałów metodami chemicznymi i elektrochemicznymi (ex-situ). Wszystkie analizy wykonywane są przez zespół naukowców mających wieloletnie doświadczenie zdobyte w kraju oraz ośrodkach zagranicznych w prowadzeniu tego typu prac.